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纳米晶带材

纳米晶带材主要以铁、硅、硼、铜、铌等元素组成，在10⁶℃/s的超高冷却速率下制备，再经特定磁场热处理工艺处理后，在材料表面获得具有纳米级超细尺寸晶粒(~10nm)的软磁合金材料。纳米晶带材制备的显著特点是：生产制造流程短，一步成型，高效节能，其突出的性能优点在于兼具了铁基非晶合金的高饱和磁感应强度(Bs)以及钻基非晶合金的高磁导率和低损耗，能够很好地满足高频低损耗的性能要求。

纳米晶带材的优势：
纳米晶合金可以替代钻基非晶合金、晶态坡莫合金和铁氧体，符合高频电力电子和电子信息领域中元器件不断向小型、轻量、高效方向发展的趋势。

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产品详情

纳米晶带材主要以铁、硅、硼、铜、铌等元素组成，在10⁶℃/s的超高冷却速率下制备，再经特定磁场热处理工艺处理后，在材料表面获得具有纳米级超细尺寸晶粒(~10nm)的软磁合金材料。纳米晶带材制备的显著特点是：生产制造流程短，一步成型，高效节能，其突出的性能优点在于兼具了铁基非晶合金的高饱和磁感应强度(Bs)以及钻基非晶合金的高磁导率和低损耗，能够很好地满足高频低损耗的性能要求。

纳米晶带材的优势：

纳米晶合金可以替代钻基非晶合金、晶态坡莫合金和铁氧体，符合高频电力电子和电子信息领域中元器件不断向小型、轻量、高效方向发展的趋势。

选型表

应用类别	牌号	规格		典型参数值
应用类别	牌号	宽度(mm)	厚度(μm)	典型参数值
互感器类	ZC1000	5	28-36	1. 相对初始磁导率μ_0.08≥100000 2. 对于≤10mm的我司推荐使用23-28μm的剪切带 3. 宽度规格可根据客户定制
		6	28-36
		7.6	28-36
		10	28-36
		15	28-36
		20	28-36
		25	28-36
		30	28-36
逆变类	ZC500	15	26-32	1. 比总损耗P_0.5/20k<25W/kg 2. 相对初始磁导率μ_0.08≈50000 ，磁导率根据客户需求可定制
		20	26-32
		25	26-32
		30	26-32
		35	26-32
		40	26-32
共模屏蔽类	ZC800	3.2	16-23	1. 典型磁Size：322010mm 2. 电感值/Inductance： 38.0μH≤AL≤52.0μH atf=1kHz/0.25V，100Ω 25±3°C AL≥12.0μH atf=150kHz/0.25V，100Ω 25±3°C 3. 比总损耗P_0.5/20k≤20W/kg
		8	16-23
		10	16-23
		15	16-23
		20	16-23
		30	16-23
		50	16-23
		60	16-23
		65	16-23
		70	16-23
磁导率定制类				可接受初始磁导率1000-200000的产品定制

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